高濃度臭氧水生成系統(tǒng)NX-QC
■臭氧水濃度高
(最大30ppm)
半導(dǎo)體,液晶,太陽能電池等潔凈規(guī)格(臭氧水生成部由氟素樹脂材料組成)
達到臭氧最大濃度僅需大約1分鐘
長400mm。寬550mm。高820mm(標準規(guī)格)
目前市場上關(guān)于半導(dǎo)體晶片的清洗,主要使用的是SCL(氨/過氧化氫)硫酸,鹽酸等藥物,價格較高。使用臭氧水和稀氫氟酸來代替這些化學(xué)藥品,在降低成本的同時,可以更好地去除金屬雜質(zhì)。
臭氧具有僅次于氟的高氧化還原電位,可以氧化分解大量雜質(zhì)。例如,氧化有機物質(zhì)并除去二氧化碳氣體。此外,通過氧化硅的表面形成二氧化硅膜,從而實現(xiàn)清洗后不留斑點。
我們設(shè)計在臭氧水生成一個點的核心不具有所謂的多余的質(zhì)量設(shè)計。除了氧氣,其他原料幾乎不消耗,因此具有很高的性價比(取決于機型)。
?半導(dǎo)體(清洗)
?FPD,液晶(清洗)
?MEMS,傳感器(清潔)
?硬盤(清洗)
?太陽能電池(清潔)
?醫(yī)療(洗手,純凈水管道清洗)
?食品(洗手,消毒,除臭)
利用臭氧的強氧化能力,可以實現(xiàn)分解并去除大量的雜質(zhì)。
根據(jù)雜質(zhì)的形狀與數(shù)量的不同,所需濃度也將有所變化,請參考右圖數(shù)據(jù)。
此外,如將稀氫氟酸與臭氧水同時使用,去除雜質(zhì)的效果將倍增。
項目 | 項目 |
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臭氧生成方式 | 無聲放電法 |
將臭氧氣體溶解于純凈水的方法 | 噴射方式 |
臭氧水中臭氧的濃度監(jiān)測 | 紫外吸收法 |
臭氧水濃度 | 最高為30ppm |
臭氧水流量 | 最高50L /min |
設(shè)備尺寸 | 寬度400mm 深度550mm 高度850毫米(標準型) |
重量 | 20 ~ 100Kg |
消耗功率 | ~3KW |
氧氣壓力 | 為0.1MPa(供給為0.3MPa) |
氧氣純度 | 99.5%(指定) |
氧氣消耗量 | ~16L/min. |
供應(yīng)純凈水的壓力 | 0.20Mpa以上(理想值0.25MPa) |
供應(yīng)純凈水的溫度 | 低于25℃ |
臭氧氣體生成部的冷卻水溫度 | 理想值為20℃以下。如無法實現(xiàn),需根據(jù)情況增加冷卻器(可選)。 |
CO2氣體消耗量 (臭氧濃度過高時需通過純凈水?行注入) | 大約100cc/min |
裝置 タイプ | 製品 | 用途 | オゾン 濃度(ppm) | 臭氧濃度 (L/min) | 納期 |
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Ⅰ | ●而半導(dǎo)體精密清洗 ●LED,LCD,傳感器 ●太陽能電池,MEMS部 | ●半導(dǎo)體用潔凈規(guī)格。 ●所有的過流部件均采用塑料部件。( 臭氧水中不含有金屬成分) | 25 | 10 | 1~ 2.5ヶ月 |
25 | 30 | ||||
20 | 2.5 | ||||
20 | 5 | ||||
10 | 5 | ||||
10 | 10 | ||||
5 | 10 | ||||
5 | 20 | ||||
Ⅱ | 允許臭氧水含有少量金屬成分 | ●低價版。 ●在氣體溶部位使用SUS316材質(zhì)的裝置,管道。臭氧氣體生成部與上述相同。 ●如果允許臭氧水含有少量金屬成分,與I機型相比價格低廉。 | 25 | 10 | |
25 | 30 | ||||
20 | 2.5 | ||||
20 | 5 | ||||
10 | 5 | ||||
10 | 10 | ||||
5 | 10 | ||||
5 | 20 |
a) 半導(dǎo)體用化學(xué)藥品一般包括SC1(NH4OH/H2O2/DIW) 和SC2 (HCl/H2O2/DIW),但是SC1 和SC2是相對較貴,并且需在60-100 ℃的高溫條件下發(fā)生作用,難以使用。而近年,臭氧水作為可替代SC1 和SC2 的新的清洗方式, 受到廣泛關(guān)注。因為僅僅是將純凈水通過臭氧水生成器,便可以簡單地產(chǎn)生臭氧,因此可大大降低運營成本。
b) 使用臭氧水進行清洗處理后,臭氧成分便迅速蒸發(fā),因此廢水處理也十分容易。
因為臭氧擁有僅次于氟素的氧化還原能力,其清洗能力高于SC1、SC2尤其是用于清洗表面很難氧化的碳化硅或氮化鎵基板也十分有效。(兩者作為半導(dǎo)體材料受到廣泛關(guān)注)
※清洗裝置使用枚葉式主軸。
使用臭氧水 | 優(yōu)劣判斷 | 使用藥液 | |
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①僅次于氟素的強氧化能力 →去除金屬,有機物強力有效 | ○ | × | ①使用鹽酸,硫酸,雙氧水等具有強酸性的藥液,并且藥液具有100℃左右的高溫,操作時要十分注意。 |
②臭氧水處理后形成氧化膜,(0.8nm左右) →晶片表面具有親水性 →晶片表面粒子數(shù)少 | ○ | ○ | ②將氨氣/雙氧水與上述①強酸一起使用的情況較多(為了除去粒子) |
③臭氧成分通過自然蒸發(fā),或者通過使用簡易臭氧分解設(shè)備, 從而使工廠排水變?yōu)榭赡堋?br/>→臭氧水易蒸發(fā),立刻變成純水 →可以使用工廠廢水管道排放臭氧水 →純水可循環(huán)利用 | ○ | ○ | ③藥液使用后,使用工廠的廢液處理設(shè)備中和處理。 → 藥液不可循環(huán)使用 |
成本比較
⑤消耗材料價格低 →基本上只需支付氧氣費用和電費 總計費用2600元/月(31000元/年) | ○ | × | ④藥液成本高。(以使用浴槽式設(shè)備清洗為例計算) 總計藥液費用:31000元/月(5600000元/年) |
(上述⑤的具體內(nèi)容) ?氧氣費用:1liter/分 、63元/m3、臭氧水制造設(shè)備的運轉(zhuǎn)率以80%計算為例 → 1個月氧氣使用費:2260元 ?電費 設(shè)備消耗電力:400W,電費以1.5元/KWh為例,每個月的電費330元/月 | (上述④的具體內(nèi)容) ?硫酸/雙氧水(50升*3回交換/每天。成分比:硫酸5對雙氧水1。硫酸單價:50元/500ml,雙氧水單價:75日元/500ml) →每月硫酸消耗量3,750升(370000元/月) →每月雙氧水消費量750升(96000元/月) | ||
⑥與其它公司相比,低價提供設(shè)備 |
電話:021-57877360
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